6月30日下午，应江南大学理学院邀请，美国纽约城市大学沈爱东教授来我院开展学术交流活动，在钱伟长楼202报告厅作了题为：“Intersubband Photonic Devices from Wide Band Gap II-VI Semiconductors”的学术报告。光电信息科学与工程系的教师以及研究生参加了本次学术报告会，会议由理学院院长陈国庆教授主持。
沈爱东教授主要从事新型半导体材料和器件的开发研究，是III-V族铁磁性半导体的发明者之一，是世界上第一个将磁性材料锰（Mn）和传统的化合物半导体砷化镓（GaAs）相结合从而制成高温铁磁性半导体的研究者。研究方向为高端红外发光和探测器件、高速光开关、及新型高效能太阳能电池。
沈爱东教授在报告中介绍了ZnxCdyMg1-x-ySe宽带隙II-VI半导体材料，能带间隙从1.66eV到3.7eV，一般被用于制造可见光和紫外光谱范围的发射和探测器。回顾了近期在量子阱红外探测器、量子级联发射器以及宽带隙超快全光开关等方面的研究成果。进一步讨论了上述各种器件在各种构造中的结构设计、生长特性。最后讨论了氧化锌基地量子结构在基础研究中的结果。沈教授学术知识渊博，报告中语言幽默风趣又通俗易懂，并在报告会上和师生们展开了相关知识的讨论交流，使与会师生受益匪浅。
报告会后，沈爱东教授和陈国庆院长、高洁副院长、光电信息科学系主任桑田教授以及光电系的教师进行了座谈。陈院长介绍了我院光电工程与信息系科研现状、科研团队以及教学成果，桑主任补充了突出成绩。沈教授结合他们的科研团队、已有的成绩以及经验，和在座教师进行了深切的交谈，以促进我院科研方面的发展。
