1月10日上午，University of Massachusetts Dartmouth王成教授应邀在线上作了主题为“Epitaxial thin film growth model and its numerical simulation”的学术报告。报告会由理学院丁洁老师主持，数学专业部分教师及研究生聆听了该学术报告。
王成首先介绍了Epitaxial thin film growth model，并给出一系列数值格式，这些数值格式既能够保证能量泛函的耗散性，又能够从理论上证明相应的收敛性。最后，王老师展示了一些数值模拟，这些模拟可以证明能量耗散性，也能证实相应的收敛精度。整个报告过程中，他讲解内容深入浅出、通俗易懂、生动形象，参会师生积极踊跃提问并讨论。通过这次学术报告，使与会师生们开阔了相关思路，受益匪浅。
王成是University of Massachusetts Dartmouth教授，本科毕业于中国科学技术大学，博士毕业于美国天普大学。王成老师主要研究领域为应用数学和科学计算，包括偏微分方程数值方法的设计和分析。至今已在SIAM Journal on Numerical analysis，SIAM Journal on Scientific Computing，Mathematics of Computation等国际著名数学期刊上接受发表120余篇论文。
王成教授作报告
